BLV97 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV97

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 900 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: M118

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BLV97 datasheet

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BLV97

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV97CE UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV97CE FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171 envelope, intended for common emitter, class-AB Ballasting resistors for an optimu

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BLV97

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