BLV97 Todos los transistores

 

BLV97 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV97
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: M118
 

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BLV97 Datasheet (PDF)

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BLV97

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV97CEUHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV97CEFEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171envelope, intended for common emitter, class-AB Ballasting resistors for an optimu

 0.2. Size:135K  njs
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BLV97

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