BLV97. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLV97

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: M118

 Аналоги (замена) для BLV97

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLV97 даташит

 0.1. Size:65K  philips
 blv97ce.pdf pdf_icon

BLV97

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLV97CE UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLV97CE FEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171 envelope, intended for common emitter, class-AB Ballasting resistors for an optimu

 0.2. Size:135K  njs
 blv97ce.pdf pdf_icon

BLV97

Другие транзисторы: BLV90, BLV90-SL, BLV91, BLV91-SL, BLV92, BLV93, BLV94, BLV95, 2SD313, BLV98, BLV99, BLW10, BLW11, BLW12, BLW13, BLW14, BLW15