Биполярный транзистор BLV97 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLV97
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: M118
BLV97 Datasheet (PDF)
0.1. Size:65K philips
blv97ce.pdf
blv97ce.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV97CEUHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV97CEFEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171envelope, intended for common emitter, class-AB Ballasting resistors for an optimu
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050