BLW29 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW29
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 53 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 450 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO128
Búsqueda de reemplazo de BLW29
BLW29 Datasheet (PDF)
blw29.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW29VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW29the chain can deliver 15 W with aDESCRIPTIONmaximum drive power of 120 mW atN-P-N silicon planar epitaxial175 MHz. The transistor is resistancetransistor intended for use in class-A,stabilized and is guarante
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History: BUH1015 | 2SC2316Y | BD250F | KT361M2 | BTP955J3 | STC9014A
History: BUH1015 | 2SC2316Y | BD250F | KT361M2 | BTP955J3 | STC9014A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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