BLW29 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW29
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 53 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 450 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO128
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BLW29 Datasheet (PDF)
blw29.pdf
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW29VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW29the chain can deliver 15 W with aDESCRIPTIONmaximum drive power of 120 mW atN-P-N silicon planar epitaxial175 MHz. The transistor is resistancetransistor intended for use in class-A,stabilized and is guarante
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