BLW29 Todos los transistores

 

BLW29 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLW29
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 53 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 450 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO128
 

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BLW29 Datasheet (PDF)

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BLW29

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW29VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW29the chain can deliver 15 W with aDESCRIPTIONmaximum drive power of 120 mW atN-P-N silicon planar epitaxial175 MHz. The transistor is resistancetransistor intended for use in class-A,stabilized and is guarante

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History: BUH1015 | 2SC2316Y | BD250F | KT361M2 | BTP955J3 | STC9014A

 

 
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