BLW29 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLW29

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 53 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 450 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 80 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO128

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BLW29 datasheet

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BLW29

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW29 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLW29 the chain can deliver 15 W with a DESCRIPTION maximum drive power of 120 mW at N-P-N silicon planar epitaxial 175 MHz. The transistor is resistance transistor intended for use in class-A, stabilized and is guarante

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