BLW29. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW29

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 53 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для BLW29

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW29 даташит

 ..1. Size:69K  philips
 blw29.pdf pdf_icon

BLW29

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW29 VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLW29 the chain can deliver 15 W with a DESCRIPTION maximum drive power of 120 mW at N-P-N silicon planar epitaxial 175 MHz. The transistor is resistance transistor intended for use in class-A, stabilized and is guarante

Другие транзисторы: BLW20, BLW21, BLW22, BLW23, BLW24, BLW25, BLW26, BLW27, 2SD669A, BLW31, BLW32, BLW33, BLW34, BLW35, BLW36, BLW37, BLW38