Биполярный транзистор BLW29 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BLW29
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 53 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO128
Аналог (замена) для BLW29
BLW29 Datasheet (PDF)
blw29.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW29VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW29the chain can deliver 15 W with aDESCRIPTIONmaximum drive power of 120 mW atN-P-N silicon planar epitaxial175 MHz. The transistor is resistancetransistor intended for use in class-A,stabilized and is guarante
Другие транзисторы... BLW20 , BLW21 , BLW22 , BLW23 , BLW24 , BLW25 , BLW26 , BLW27 , TIP2955 , BLW31 , BLW32 , BLW33 , BLW34 , BLW35 , BLW36 , BLW37 , BLW38 .
History: MP5439 | LBC849CLT1G | 2SC1127-1 | DRA3123J | TRR25-10 | BC847BPDW | BU931Z
History: MP5439 | LBC849CLT1G | 2SC1127-1 | DRA3123J | TRR25-10 | BC847BPDW | BU931Z



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g