Биполярный транзистор BLW29 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLW29
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 53 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO128
BLW29 Datasheet (PDF)
..1. Size:69K philips
blw29.pdf
blw29.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW29VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW29the chain can deliver 15 W with aDESCRIPTIONmaximum drive power of 120 mW atN-P-N silicon planar epitaxial175 MHz. The transistor is resistancetransistor intended for use in class-A,stabilized and is guarante
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
