BLW32 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW32
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.65 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO128
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BLW32 datasheet
blw32.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW32 UHF linear power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF linear power transistor BLW32 area. The combination of optimum DESCRIPTION thermal design and the application of N-P-N silicon planar epitaxial gold sandwich metallization transistor primarily intended for use in realizes excellen
Otros transistores... BLW22, BLW23, BLW24, BLW25, BLW26, BLW27, BLW29, BLW31, BC549, BLW33, BLW34, BLW35, BLW36, BLW37, BLW38, BLW39, BLW42
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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