BLW32 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW32
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.65 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO128
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BLW32 Datasheet (PDF)
blw32.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW32UHF linear power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF linear power transistor BLW32area. The combination of optimumDESCRIPTIONthermal design and the application ofN-P-N silicon planar epitaxialgold sandwich metallizationtransistor primarily intended for use inrealizes excellen
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History: KT902AM | 2SD2457 | CL166 | KTA1664 | 2SC1249R | 2N5844 | BDW63D
History: KT902AM | 2SD2457 | CL166 | KTA1664 | 2SC1249R | 2N5844 | BDW63D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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