Биполярный транзистор BLW32 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLW32
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.65 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO128
BLW32 Datasheet (PDF)
..1. Size:66K philips
blw32.pdf
blw32.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW32UHF linear power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF linear power transistor BLW32area. The combination of optimumDESCRIPTIONthermal design and the application ofN-P-N silicon planar epitaxialgold sandwich metallizationtransistor primarily intended for use inrealizes excellen
Другие транзисторы... BLW22 , BLW23 , BLW24 , BLW25 , BLW26 , BLW27 , BLW29 , BLW31 , MD1803DFX , BLW33 , BLW34 , BLW35 , BLW36 , BLW37 , BLW38 , BLW39 , BLW42 .
