Биполярный транзистор BLW32 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLW32
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.65 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO128
BLW32 Datasheet (PDF)
..1. Size:66K philips
blw32.pdf
blw32.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW32UHF linear power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF linear power transistor BLW32area. The combination of optimumDESCRIPTIONthermal design and the application ofN-P-N silicon planar epitaxialgold sandwich metallizationtransistor primarily intended for use inrealizes excellen
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: D44H5 | 2SC3997
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050