BLW33 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLW33

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 19 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO128

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BLW33 datasheet

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BLW33

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW33 UHF linear power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF linear power transistor BLW33 area. The combination of optimum DESCRIPTION thermal design and the application of N-P-N silicon planar epitaxial gold sandwich metallization transistor primarily intended for use in realizes excellen

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