BLW33 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW33
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 19 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3400 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO128
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BLW33
BLW33 Datasheet (PDF)
blw33.pdf
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW33UHF linear power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF linear power transistor BLW33area. The combination of optimumDESCRIPTIONthermal design and the application ofN-P-N silicon planar epitaxialgold sandwich metallizationtransistor primarily intended for use inrealizes excellen
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