BLW33 Todos los transistores

 

BLW33 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLW33
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 19 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO128
     - Selección de transistores por parámetros

 

BLW33 Datasheet (PDF)

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BLW33

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW33UHF linear power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF linear power transistor BLW33area. The combination of optimumDESCRIPTIONthermal design and the application ofN-P-N silicon planar epitaxialgold sandwich metallizationtransistor primarily intended for use inrealizes excellen

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History: GT250-10D | TSD882CK | ST32 | UN4224 | 2SC2787LF | DC5422 | BSY77

 

 
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