BLW33 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW33
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 19 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3400 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO128
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BLW33 datasheet
blw33.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW33 UHF linear power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF linear power transistor BLW33 area. The combination of optimum DESCRIPTION thermal design and the application of N-P-N silicon planar epitaxial gold sandwich metallization transistor primarily intended for use in realizes excellen
Otros transistores... BLW23, BLW24, BLW25, BLW26, BLW27, BLW29, BLW31, BLW32, 2SC2240, BLW34, BLW35, BLW36, BLW37, BLW38, BLW39, BLW42, BLW43
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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