Биполярный транзистор BLW33 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLW33
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 19 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO128
BLW33 Datasheet (PDF)
..1. Size:66K philips
blw33.pdf
blw33.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW33UHF linear power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF linear power transistor BLW33area. The combination of optimumDESCRIPTIONthermal design and the application ofN-P-N silicon planar epitaxialgold sandwich metallizationtransistor primarily intended for use inrealizes excellen
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
