BLW33. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW33

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 19 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для BLW33

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW33 даташит

 ..1. Size:66K  philips
 blw33.pdf pdf_icon

BLW33

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW33 UHF linear power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF linear power transistor BLW33 area. The combination of optimum DESCRIPTION thermal design and the application of N-P-N silicon planar epitaxial gold sandwich metallization transistor primarily intended for use in realizes excellen

Другие транзисторы: BLW23, BLW24, BLW25, BLW26, BLW27, BLW29, BLW31, BLW32, 2SC2240, BLW34, BLW35, BLW36, BLW37, BLW38, BLW39, BLW42, BLW43