BLW50F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW50F
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 94 W
Tensión colector-base (Vcb): 110 V
Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: M174
Búsqueda de reemplazo de BLW50F
BLW50F Datasheet (PDF)
blw50f.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW50FHF/VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationHF/VHF power transistor BLW50FIt has a 3/8" flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor primarily intended for use inclass-A, AB and B operated, indu
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History: 2SA1797Q | 2N1073B | 2SC3295 | DTC108 | 2SD613 | FA4L4M | BSY71
History: 2SA1797Q | 2N1073B | 2SC3295 | DTC108 | 2SD613 | FA4L4M | BSY71



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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