BLW50F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLW50F

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 94 W

Tensión colector-base (Vcb): 110 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 100 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: M174

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BLW50F datasheet

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BLW50F

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW50F HF/VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power transistor BLW50F It has a 3/8" flange envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the flange. transistor primarily intended for use in class-A, AB and B operated, indu

Otros transistores... BLW39, BLW42, BLW43, BLW44, BLW45, BLW46, BLW47, BLW48, MJE350, BLW60, BLW60C, BLW64, BLW65, BLW66, BLW67, BLW68, BLW69