BLW50F Todos los transistores

 

BLW50F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLW50F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 94 W
   Tensión colector-base (Vcb): 110 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: M174
 

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BLW50F Datasheet (PDF)

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BLW50F

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW50FHF/VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationHF/VHF power transistor BLW50FIt has a 3/8" flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor primarily intended for use inclass-A, AB and B operated, indu

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History: 2SA1797Q | 2N1073B | 2SC3295 | DTC108 | 2SD613 | FA4L4M | BSY71

 

 
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