BLW50F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW50F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 94 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLW50F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW50F даташит

 ..1. Size:62K  philips
 blw50f.pdf pdf_icon

BLW50F

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW50F HF/VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power transistor BLW50F It has a 3/8" flange envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the flange. transistor primarily intended for use in class-A, AB and B operated, indu

Другие транзисторы: BLW39, BLW42, BLW43, BLW44, BLW45, BLW46, BLW47, BLW48, MJE350, BLW60, BLW60C, BLW64, BLW65, BLW66, BLW67, BLW68, BLW69