Биполярный транзистор BLW50F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLW50F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 94 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: M174
BLW50F Datasheet (PDF)
blw50f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW50FHF/VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationHF/VHF power transistor BLW50FIt has a 3/8" flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor primarily intended for use inclass-A, AB and B operated, indu
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .