Справочник транзисторов. BLW50F

 

Биполярный транзистор BLW50F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLW50F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 94 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: M174
 

 Аналог (замена) для BLW50F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  philips
 blw50f.pdf pdf_icon

BLW50F

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW50FHF/VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationHF/VHF power transistor BLW50FIt has a 3/8" flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor primarily intended for use inclass-A, AB and B operated, indu

Другие транзисторы... BLW39 , BLW42 , BLW43 , BLW44 , BLW45 , BLW46 , BLW47 , BLW48 , 2SC5198 , BLW60 , BLW60C , BLW64 , BLW65 , BLW66 , BLW67 , BLW68 , BLW69 .

History: KRA726E | NKT105 | 2SC2210C

 

 
Back to Top

 


 
.