BLW60C Todos los transistores

 

BLW60C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLW60C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 22 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 240 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO128
 

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BLW60C Datasheet (PDF)

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BLW60C

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW60CVHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW60CMatched hFE groups are available onDESCRIPTIONrequest.N-P-N silicon planar epitaxialIt has a 3/8" capstan envelope with atransistor intended for use in class-A,ceramic cap. All leads are isolatedB and C op

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History: BDT29F

 

 
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