BLW60C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW60C
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 22 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 240 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO128
- Selección de transistores por parámetros
BLW60C Datasheet (PDF)
blw60c.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW60CVHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW60CMatched hFE groups are available onDESCRIPTIONrequest.N-P-N silicon planar epitaxialIt has a 3/8" capstan envelope with atransistor intended for use in class-A,ceramic cap. All leads are isolatedB and C op
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MJF2955 | BC232B | 2N233A | 2N964 | 2SC3443 | 2SC1103A | 2SC3355
History: MJF2955 | BC232B | 2N233A | 2N964 | 2SC3443 | 2SC1103A | 2SC3355



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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