BLW60C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLW60C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 240 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO128

 Búsqueda de reemplazo de BLW60C

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BLW60C datasheet

 ..1. Size:86K  philips
 blw60c.pdf pdf_icon

BLW60C

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW60C VHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLW60C Matched hFE groups are available on DESCRIPTION request. N-P-N silicon planar epitaxial It has a 3/8" capstan envelope with a transistor intended for use in class-A, ceramic cap. All leads are isolated B and C op

Otros transistores... BLW43, BLW44, BLW45, BLW46, BLW47, BLW48, BLW50F, BLW60, BD136, BLW64, BLW65, BLW66, BLW67, BLW68, BLW69, BLW70, BLW71