Справочник транзисторов. BLW60C

 

Биполярный транзистор BLW60C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLW60C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 240 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO128
 

 Аналог (замена) для BLW60C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  philips
 blw60c.pdf pdf_icon

BLW60C

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW60CVHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW60CMatched hFE groups are available onDESCRIPTIONrequest.N-P-N silicon planar epitaxialIt has a 3/8" capstan envelope with atransistor intended for use in class-A,ceramic cap. All leads are isolatedB and C op

Другие транзисторы... BLW43 , BLW44 , BLW45 , BLW46 , BLW47 , BLW48 , BLW50F , BLW60 , BD136 , BLW64 , BLW65 , BLW66 , BLW67 , BLW68 , BLW69 , BLW70 , BLW71 .

History: BC847CW | FMW1 | 2SB440 | 2SC1193 | OC45N

 

 
Back to Top

 


 
.