Справочник транзисторов. BLW60C

 

Биполярный транзистор BLW60C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLW60C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 240 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO128
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLW60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  philips
 blw60c.pdf pdf_icon

BLW60C

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW60CVHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLW60CMatched hFE groups are available onDESCRIPTIONrequest.N-P-N silicon planar epitaxialIt has a 3/8" capstan envelope with atransistor intended for use in class-A,ceramic cap. All leads are isolatedB and C op

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SC3110 | 2N6364

 

 
Back to Top

 


 
.