BLW60C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW60C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 240 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для BLW60C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW60C даташит

 ..1. Size:86K  philips
 blw60c.pdf pdf_icon

BLW60C

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW60C VHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLW60C Matched hFE groups are available on DESCRIPTION request. N-P-N silicon planar epitaxial It has a 3/8" capstan envelope with a transistor intended for use in class-A, ceramic cap. All leads are isolated B and C op

Другие транзисторы: BLW43, BLW44, BLW45, BLW46, BLW47, BLW48, BLW50F, BLW60, BD136, BLW64, BLW65, BLW66, BLW67, BLW68, BLW69, BLW70, BLW71