BLW80 Todos los transistores

 

BLW80 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLW80
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 17 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 17 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 750 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 28 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO128
 

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BLW80 Datasheet (PDF)

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BLW80

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW80UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLW801The transistor is housed in a 4"DESCRIPTIONcapstan envelope with a ceramic cap.N-P-N silicon planar epitaxialtransistor intended for transmittingapplications in class-A, B or C in theu.h.f. and v.h.f. ra

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History: 2SA2153 | 2SC2166 | 2N1838 | 2SD2359 | LBC558CP | 2SC315 | BDY47

 

 
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