BLW80 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLW80

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 17 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 17 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 750 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 28 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO128

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BLW80 datasheet

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BLW80

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW80 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLW80 1 The transistor is housed in a 4" DESCRIPTION capstan envelope with a ceramic cap. N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for transmitting applications in class-A, B or C in the u.h.f. and v.h.f. ra

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