BLW80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW80

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 750 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 28 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для BLW80

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW80 даташит

 ..1. Size:62K  philips
 blw80.pdf pdf_icon

BLW80

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW80 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLW80 1 The transistor is housed in a 4" DESCRIPTION capstan envelope with a ceramic cap. N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for transmitting applications in class-A, B or C in the u.h.f. and v.h.f. ra

Другие транзисторы: BLW71, BLW72, BLW73, BLW75, BLW76, BLW77, BLW78, BLW79, C1815, BLW81, BLW82, BLW83, BLW84, BLW85, BLW86, BLW87, BLW89