Справочник транзисторов. BLW80

 

Биполярный транзистор BLW80 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLW80
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 750 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 28 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO128
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLW80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  philips
 blw80.pdf pdf_icon

BLW80

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW80UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLW801The transistor is housed in a 4"DESCRIPTIONcapstan envelope with a ceramic cap.N-P-N silicon planar epitaxialtransistor intended for transmittingapplications in class-A, B or C in theu.h.f. and v.h.f. ra

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2N6364 | ZDT1049 | 2SC3110

 

 
Back to Top

 


 
.