Биполярный транзистор BLW80 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLW80
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 750 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 28 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO128
BLW80 Datasheet (PDF)
..1. Size:62K philips
blw80.pdf
blw80.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW80UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLW801The transistor is housed in a 4"DESCRIPTIONcapstan envelope with a ceramic cap.N-P-N silicon planar epitaxialtransistor intended for transmittingapplications in class-A, B or C in theu.h.f. and v.h.f. ra
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050