Справочник транзисторов. BLW80

 

Биполярный транзистор BLW80 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLW80
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 750 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 28 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO128
 

 Аналог (замена) для BLW80

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  philips
 blw80.pdf pdf_icon

BLW80

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW80UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLW801The transistor is housed in a 4"DESCRIPTIONcapstan envelope with a ceramic cap.N-P-N silicon planar epitaxialtransistor intended for transmittingapplications in class-A, B or C in theu.h.f. and v.h.f. ra

Другие транзисторы... BLW71 , BLW72 , BLW73 , BLW75 , BLW76 , BLW77 , BLW78 , BLW79 , 2N2222 , BLW81 , BLW82 , BLW83 , BLW84 , BLW85 , BLW86 , BLW87 , BLW89 .

History: BCY58B | PBSS5560PA | GES3906 | D43D6 | BFQ263A | CN451

 

 
Back to Top

 


 
.