BLW81 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLW81

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 17 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 650 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 60 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

 Búsqueda de reemplazo de BLW81

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BLW81 datasheet

 ..1. Size:62K  philips
 blw81.pdf pdf_icon

BLW81

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW81 UHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLW81 1 The transistor is housed in a 4" DESCRIPTION capstan envelope with a ceramic cap. N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for transmitting applications in class-A, B or C in the u.h.f. and v.h.f. ra

Otros transistores... BLW72, BLW73, BLW75, BLW76, BLW77, BLW78, BLW79, BLW80, 2N5401, BLW82, BLW83, BLW84, BLW85, BLW86, BLW87, BLW89, BLW90