BLW81 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLW81
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 17 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 650 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BLW81
BLW81 Datasheet (PDF)
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW81UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLW811The transistor is housed in a 4"DESCRIPTIONcapstan envelope with a ceramic cap.N-P-N silicon planar epitaxialtransistor intended for transmittingapplications in class-A, B or C in theu.h.f. and v.h.f. ra
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