BLW81 Todos los transistores

 

BLW81 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLW81
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 17 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 650 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
 

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BLW81 Datasheet (PDF)

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BLW81

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW81UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLW811The transistor is housed in a 4"DESCRIPTIONcapstan envelope with a ceramic cap.N-P-N silicon planar epitaxialtransistor intended for transmittingapplications in class-A, B or C in theu.h.f. and v.h.f. ra

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