Справочник транзисторов. BLW81

 

Биполярный транзистор BLW81 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLW81
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLW81 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  philips
 blw81.pdf pdf_icon

BLW81

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW81UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLW811The transistor is housed in a 4"DESCRIPTIONcapstan envelope with a ceramic cap.N-P-N silicon planar epitaxialtransistor intended for transmittingapplications in class-A, B or C in theu.h.f. and v.h.f. ra

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SC1352F | 2N2330 | 2N3927 | DTS4045 | BCW31LT3 | 2SB736AR | 2N3868SMD

 

 
Back to Top

 


 
.