BLW83 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLW83

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 76 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 36 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 100 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: M174

 Búsqueda de reemplazo de BLW83

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BLW83 datasheet

 ..1. Size:64K  philips
 blw83.pdf pdf_icon

BLW83

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW83 HF/VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power transistor BLW83 Matched hFE groups are available on DESCRIPTION request. N-P-N silicon planar epitaxial It has a 3/8" flange envelope with a transistor for use in transmitting ceramic cap. All leads are isolated amplifiers

Otros transistores... BLW75, BLW76, BLW77, BLW78, BLW79, BLW80, BLW81, BLW82, BC548, BLW84, BLW85, BLW86, BLW87, BLW89, BLW90, BLW91, BLW92