BLW83. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW83

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 76 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLW83

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW83 даташит

 ..1. Size:64K  philips
 blw83.pdf pdf_icon

BLW83

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW83 HF/VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power transistor BLW83 Matched hFE groups are available on DESCRIPTION request. N-P-N silicon planar epitaxial It has a 3/8" flange envelope with a transistor for use in transmitting ceramic cap. All leads are isolated amplifiers

Другие транзисторы: BLW75, BLW76, BLW77, BLW78, BLW79, BLW80, BLW81, BLW82, BC548, BLW84, BLW85, BLW86, BLW87, BLW89, BLW90, BLW91, BLW92