Справочник транзисторов. BLW83

 

Биполярный транзистор BLW83 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLW83
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 76 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: M174
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLW83 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  philips
blw83.pdfpdf_icon

BLW83

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW83HF/VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationHF/VHF power transistor BLW83Matched hFE groups are available onDESCRIPTIONrequest.N-P-N silicon planar epitaxialIt has a 3/8" flange envelope with atransistor for use in transmittingceramic cap. All leads are isolatedamplifiers

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: HS5306A | BC223A | NSBC115TDP6T5G | 2N6499 | KA4F3R | SQ5109 | 2N598

 

 
Back to Top

 


 
.