Биполярный транзистор BLW83 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BLW83
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 76 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: M174
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BLW83 Datasheet (PDF)
blw83.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW83HF/VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationHF/VHF power transistor BLW83Matched hFE groups are available onDESCRIPTIONrequest.N-P-N silicon planar epitaxialIt has a 3/8" flange envelope with atransistor for use in transmittingceramic cap. All leads are isolatedamplifiers
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: HS5306A | BC223A | NSBC115TDP6T5G | 2N6499 | KA4F3R | SQ5109 | 2N598
History: HS5306A | BC223A | NSBC115TDP6T5G | 2N6499 | KA4F3R | SQ5109 | 2N598



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet