BLW85 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLW85

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 105 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 325 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 240 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: M174

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BLW85 datasheet

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BLW85

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW85 HF/VHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power transistor BLW85 Matched hFE groups are available on DESCRIPTION request. N-P-N silicon planar epitaxial It has a 3/8" flange envelope with a transistor intended for use in class-A, ceramic cap. All leads are isolated B and C

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