Биполярный транзистор BLW85 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLW85
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 325 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 240 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: M174
BLW85 Datasheet (PDF)
..1. Size:86K philips
blw85.pdf
blw85.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW85HF/VHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationHF/VHF power transistor BLW85Matched hFE groups are available onDESCRIPTIONrequest.N-P-N silicon planar epitaxialIt has a 3/8" flange envelope with atransistor intended for use in class-A,ceramic cap. All leads are isolatedB and C
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS