Справочник транзисторов. BLW85

 

Биполярный транзистор BLW85 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLW85
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 325 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 240 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: M174
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BLW85 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  philips
 blw85.pdf pdf_icon

BLW85

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW85HF/VHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationHF/VHF power transistor BLW85Matched hFE groups are available onDESCRIPTIONrequest.N-P-N silicon planar epitaxialIt has a 3/8" flange envelope with atransistor intended for use in class-A,ceramic cap. All leads are isolatedB and C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BSS56 | BDX83C | 2SB1204

 

 
Back to Top

 


 
.