BLW85. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW85

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 325 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 240 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: M174

 Аналоги (замена) для BLW85

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW85 даташит

 ..1. Size:86K  philips
 blw85.pdf pdf_icon

BLW85

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW85 HF/VHF power transistor March 1993 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power transistor BLW85 Matched hFE groups are available on DESCRIPTION request. N-P-N silicon planar epitaxial It has a 3/8" flange envelope with a transistor intended for use in class-A, ceramic cap. All leads are isolated B and C

Другие транзисторы: BLW77, BLW78, BLW79, BLW80, BLW81, BLW82, BLW83, BLW84, C5198, BLW86, BLW87, BLW89, BLW90, BLW91, BLW92, BLW93, BLW94