BLW90 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLW90

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 18 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.62 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 17 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO131

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BLW90 datasheet

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BLW90

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW90 UHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLW90 1 The transistor is housed in a 4" DESCRIPTION capstan envelope with a ceramic cap. N-P-N silicon planar epitaxial All leads are isolated from the stud. transistor suitable for transmitting applications in clas

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