BLW90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLW90

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.62 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO131

 Аналоги (замена) для BLW90

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLW90 даташит

 ..1. Size:58K  philips
 blw90.pdf pdf_icon

BLW90

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW90 UHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BLW90 1 The transistor is housed in a 4" DESCRIPTION capstan envelope with a ceramic cap. N-P-N silicon planar epitaxial All leads are isolated from the stud. transistor suitable for transmitting applications in clas

Другие транзисторы: BLW81, BLW82, BLW83, BLW84, BLW85, BLW86, BLW87, BLW89, TIP122, BLW91, BLW92, BLW93, BLW94, BLW95, BLW96, BLW98, BLW99