Биполярный транзистор BLW90 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLW90
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 18 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.62 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO131
BLW90 Datasheet (PDF)
..1. Size:58K philips
blw90.pdf
blw90.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW90UHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLW901The transistor is housed in a 4"DESCRIPTIONcapstan envelope with a ceramic cap.N-P-N silicon planar epitaxialAll leads are isolated from the stud.transistor suitable for transmittingapplications in clas
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050