BLW96 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLW96

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 340 W

Tensión colector-base (Vcb): 110 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 500 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: M174

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BLW96 datasheet

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BLW96

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLW96 HF/VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power transistor BLW96 conditions. Transistors are supplied DESCRIPTION in matched hFE groups. N-P-N silicon planar epitaxial 1 The transistor has a 2" flange transistor intended for use in class-A, envelope with a ceramic cap.

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