Биполярный транзистор BLW96 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLW96
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 340 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: M174
BLW96 Datasheet (PDF)
..1. Size:73K philips
blw96 cnv.pdf
blw96 cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLW96HF/VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationHF/VHF power transistor BLW96conditions. Transistors are suppliedDESCRIPTIONin matched hFE groups.N-P-N silicon planar epitaxial1The transistor has a 2" flangetransistor intended for use in class-A,envelope with a ceramic cap.
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
