BLY87 Todos los transistores

 

BLY87 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLY87
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO61
 

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BLY87 Datasheet (PDF)

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BLY87

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLY87CVHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLY87CIt has a 3/8" capstan envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the stud.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.f

 0.2. Size:65K  philips
 bly87c-01 cnv 2.pdf pdf_icon

BLY87

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLY87CVHF power transistorAugust 1986Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLY87CIt has a 3/8" capstan envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the stud.transistor intended for use in class-A

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History: NSS60101DMT | CA3250F | KRC161F

 

 
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