BLY87. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLY87

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для BLY87

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLY87 даташит

 0.1. Size:65K  philips
 bly87c cnv 2.pdf pdf_icon

BLY87

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLY87C VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLY87C It has a 3/8" capstan envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the stud. transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f. and v.h.f

 0.2. Size:65K  philips
 bly87c-01 cnv 2.pdf pdf_icon

BLY87

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLY87C VHF power transistor August 1986 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLY87C It has a 3/8" capstan envelope with a DESCRIPTION ceramic cap. All leads are isolated N-P-N silicon planar epitaxial from the stud. transistor intended for use in class-A

Другие транзисторы: BLY79, BLY80, BLY81, BLY82, BLY83, BLY84, BLY85, BLY86, BD136, BLY87A, BLY87C, BLY88, BLY88A, BLY88C, BLY88T, BLY89, BLY89A