Биполярный транзистор BLY87 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLY87
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO61
BLY87 Datasheet (PDF)
bly87c cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLY87CVHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLY87CIt has a 3/8" capstan envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the stud.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.f
bly87c-01 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLY87CVHF power transistorAugust 1986Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC08aPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLY87CIt has a 3/8" capstan envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the stud.transistor intended for use in class-A
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050