BLY89 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLY89

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 44 W

Tensión colector-base (Vcb): 36 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 400 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO61

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BLY89 datasheet

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BLY89

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLY89C VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLY89C DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, industrial and military transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistan

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