BLY89. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLY89

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 44 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для BLY89

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLY89 даташит

 0.1. Size:68K  philips
 bly89c cnv 2.pdf pdf_icon

BLY89

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLY89C VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLY89C DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, industrial and military transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistan

Другие транзисторы: BLY86, BLY87, BLY87A, BLY87C, BLY88, BLY88A, BLY88C, BLY88T, BD222, BLY89A, BLY89C, BLY90, BLY91, BLY91A, BLY91C, BLY92, BLY92A