BLY89C Todos los transistores

 

BLY89C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLY89C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 73 W
   Tensión colector-base (Vcb): 36 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 130 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO128
 

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BLY89C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  philips
 bly89c cnv 2.pdf pdf_icon

BLY89C

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLY89CVHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLY89CDESCRIPTIONN-P-N silicon planar epitaxialtransistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, industrialand military transmitters with anominal supply voltage of 13,5 V. Thetransistor is resistan

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History: 2SC2635 | LDTA123EM3T5G

 

 
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