BLY89C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLY89C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 73 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для BLY89C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLY89C даташит

 ..1. Size:68K  philips
 bly89c cnv 2.pdf pdf_icon

BLY89C

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLY89C VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLY89C DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, industrial and military transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistan

Другие транзисторы: BLY87A, BLY87C, BLY88, BLY88A, BLY88C, BLY88T, BLY89, BLY89A, 2SC5200, BLY90, BLY91, BLY91A, BLY91C, BLY92, BLY92A, BLY92C, BLY93