BLY93 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLY93

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 44 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 36 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: M164

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BLY93 datasheet

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BLY93

HG RF POWER TRANSISTOR BLY93H Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L STUD The HG BLY93H is Designed for .112x45 A Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. C B E C E E FEATURES C E B Common Emitter B PG = 9.0 dB at 25 W/175 MHz I D H Omnigold Metalization System J G MAXIMUM RATINGS

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