Биполярный транзистор BLY93 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BLY93
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 44 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: M164
BLY93 Datasheet (PDF)
0.1. Size:269K hgsemi
bly93h.pdf
bly93h.pdf
HG RF POWER TRANSISTORBLY93HSemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION: PACKAGE STYLE .380 4L STUD The HG BLY93H is Designed for .112x45 AClass C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. CBE CE EFEATURES: C EBCommon Emitter BPG = 9.0 dB at 25 W/175 MHz IDHOmnigold Metalization SystemJGMAXIMUM RATINGS
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050