BLY93. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLY93

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 44 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: M164

 Аналоги (замена) для BLY93

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLY93 даташит

 0.1. Size:269K  hgsemi
 bly93h.pdf pdf_icon

BLY93

HG RF POWER TRANSISTOR BLY93H Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L STUD The HG BLY93H is Designed for .112x45 A Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. C B E C E E FEATURES C E B Common Emitter B PG = 9.0 dB at 25 W/175 MHz I D H Omnigold Metalization System J G MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: BLY89C, BLY90, BLY91, BLY91A, BLY91C, BLY92, BLY92A, BLY92C, 2N5401, BLY93A, BLY93C, BLY94, BLY95, BLY96, BLY97, BLY98, BLY99