BST50 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BST50
Código: AS1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: SOT89
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BST50 datasheet
bst50 bst51 bst52 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 BST50; BST51; BST52 NPN Darlington transistors 1999 Apr 26 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 16 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BST50; BST51; BST52 FEATURES PINNING High current (max. 0.5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 emitter Integrated dio
bst50-52.pdf
SMD Type Transistors Transistors NPN Darlington Transistor BST50;BST51;BST52 (KST50;KST51;KST52) Features Integrated diode and resistor. PNP complements BST60,BST61 and BST62. 1.70 0.1 0.42 0.1 0.46 0.1 2 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter 3 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO BST50 60 BST51 80 BST52 90 Collect
Otros transistores... BSS82BL , BSS82C , BSS82CL , BSS99 , BST15 , BST16 , BST39 , BST40 , A733 , BST51 , BST52 , BST60 , BST61 , BST62 , BSV10 , BSV10-10 , BSV10-16 .
History: BST15 | 2SA1210T | BD149B | 2SC3176 | BSS51
History: BST15 | 2SA1210T | BD149B | 2SC3176 | BSS51
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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