BST50 - описание и поиск аналогов

 

BST50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BST50

Маркировка: AS1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BST50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BST50 даташит

 ..1. Size:51K  philips
 bst50 bst51 bst52 3.pdf pdf_icon

BST50

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 BST50; BST51; BST52 NPN Darlington transistors 1999 Apr 26 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 16 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BST50; BST51; BST52 FEATURES PINNING High current (max. 0.5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 emitter Integrated dio

 0.1. Size:410K  kexin
 bst50-52.pdf pdf_icon

BST50

SMD Type Transistors Transistors NPN Darlington Transistor BST50;BST51;BST52 (KST50;KST51;KST52) Features Integrated diode and resistor. PNP complements BST60,BST61 and BST62. 1.70 0.1 0.42 0.1 0.46 0.1 2 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter 3 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO BST50 60 BST51 80 BST52 90 Collect

Другие транзисторы: BSS82BL, BSS82C, BSS82CL, BSS99, BST15, BST16, BST39, BST40, A733, BST51, BST52, BST60, BST61, BST62, BSV10, BSV10-10, BSV10-16

 

 

 

 

↑ Back to Top
.