Биполярный транзистор BST50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BST50
Маркировка: AS1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: SOT89
BST50 Datasheet (PDF)
bst50 bst51 bst52 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D109BST50; BST51; BST52NPN Darlington transistors1999 Apr 26Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 16Philips Semiconductors Product specificationNPN Darlington transistors BST50; BST51; BST52FEATURES PINNING High current (max. 0.5 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)1 emitter Integrated dio
bst50-52.pdf
SMD Type TransistorsTransistorsNPN Darlington TransistorBST50;BST51;BST52 (KST50;KST51;KST52) Features Integrated diode and resistor. PNP complements: BST60,BST61 and BST62.1.70 0.10.42 0.10.46 0.1211.Base2.Collector3.Emitter3 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBOBST50 60BST51 80BST52 90 Collect
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050