2N319 Todos los transistores

 

2N319 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N319

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 35

Empaquetado / Estuche: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N319

 

2N319 Datasheet (PDF)

1.1. 2n319 2n320 2n321.pdf Size:327K _general_electric

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1.2. 2n3196.pdf Size:129K _inchange_semiconductor

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N3196 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For medium-speed switching and amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta

 

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