2N319 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N319  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N319

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N319 даташит

 ..1. Size:327K  general electric
2n319 2n320 2n321.pdfpdf_icon

2N319

 0.1. Size:171K  inchange semiconductor
2n3198.pdfpdf_icon

2N319

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3198 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area With TO-3 package Low collector saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 0.2. Size:171K  inchange semiconductor
2n3196.pdfpdf_icon

2N319

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3196 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area With TO-3 package Low collector saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 0.3. Size:171K  inchange semiconductor
2n3195.pdfpdf_icon

2N319

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3195 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area With TO-3 package Low collector saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For medium-speed switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

Другие транзисторы: 2N3182, 2N3183, 2N3184, 2N3185, 2N3186, 2N3187, 2N3188, 2N3189, BC557, 2N3190, 2N3191, 2N3192, 2N3193, 2N3194, 2N3195, 2N3196, 2N3197