BSX32 Todos los transistores

 

BSX32 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSX32
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO39
 
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BSX32 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  philips
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BSX32

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BSX32NPN switching transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor BSX32FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS

 ..2. Size:79K  st
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BSX32

BSX32HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT SWITCHDESCRIPTIONThe BSX32 is a silicon planar epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It is designedfor high voltage, high current switching applications.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collector-base Voltage (IE =0) 65 VVCEO Collector-emitter Voltage (IB = 0) 40 VVEBO Emit

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History: CH837SGP

 

 
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