BSX32 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSX32
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 65 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BSX32
BSX32 Datasheet (PDF)
bsx32 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BSX32NPN switching transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor BSX32FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS
bsx32.pdf
BSX32HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT SWITCHDESCRIPTIONThe BSX32 is a silicon planar epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It is designedfor high voltage, high current switching applications.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collector-base Voltage (IE =0) 65 VVCEO Collector-emitter Voltage (IB = 0) 40 VVEBO Emit
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Liste
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