BSX32 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSX32  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BSX32

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSX32 даташит

 ..1. Size:51K  philips
 bsx32 cnv 2.pdf pdf_icon

BSX32

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSX32 NPN switching transistor 1997 May 28 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor BSX32 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS

 ..2. Size:79K  st
 bsx32.pdf pdf_icon

BSX32

BSX32 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT SWITCH DESCRIPTION The BSX32 is a silicon planar epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is designed for high voltage, high current switching applications. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-base Voltage (IE =0) 65 V VCEO Collector-emitter Voltage (IB = 0) 40 V VEBO Emit

Другие транзисторы: BSX23, BSX24, BSX25, BSX26, BSX27, BSX28, BSX29, BSX30, D882P, BSX33, BSX35, BSX36, BSX36CSM, BSX38, BSX38A, BSX38B, BSX39