Биполярный транзистор BSX32 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BSX32
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO39
BSX32 Datasheet (PDF)
bsx32 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BSX32NPN switching transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor BSX32FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS
bsx32.pdf
BSX32HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT SWITCHDESCRIPTIONThe BSX32 is a silicon planar epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It is designedfor high voltage, high current switching applications.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collector-base Voltage (IE =0) 65 VVCEO Collector-emitter Voltage (IB = 0) 40 VVEBO Emit
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050