2N320 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N320  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.1 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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2N320 datasheet

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2N320

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2N320

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2N320

2N3202 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 40V dia. IC = 3A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

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2N320

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209) TRANSISTOR 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

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