2N320 Todos los transistores

 

2N320 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N320
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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Principales características: 2N320

 ..1. Size:327K  general electric
 2n319 2n320 2n321.pdf pdf_icon

2N320

 0.1. Size:113K  st
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2N320

 0.2. Size:11K  semelab
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2N320

2N3202 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 40V dia. IC = 3A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

 0.3. Size:24K  semelab
 2n3209x.pdf pdf_icon

2N320

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209) TRANSISTOR 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

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