2N320 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N320  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N320

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N320 даташит

 ..1. Size:327K  general electric
 2n319 2n320 2n321.pdf pdf_icon

2N320

 0.1. Size:113K  st
 2n2894 2n3209.pdf pdf_icon

2N320

 0.2. Size:11K  semelab
 2n3202.pdf pdf_icon

2N320

2N3202 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 40V dia. IC = 3A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

 0.3. Size:24K  semelab
 2n3209x.pdf pdf_icon

2N320

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209) TRANSISTOR 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3193, 2N3194, 2N3195, 2N3196, 2N3197, 2N3198, 2N3199, 2N32, BC327, 2N3200, 2N3201, 2N3202, 2N3203, 2N3204, 2N3205, 2N3206, 2N3207