2N3209AQF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3209AQF

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 30

Paquete / Caja (carcasa): LCC3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3209AQF

2N3209AQF Datasheet (PDF)

8.1. 2n2894 2n3209.pdf Size:113K _st

8.2. 2n3209xcsm.pdf Size:25K _semelab

2N3209XCSM MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) SWITCHING TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY 0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31rad.(0.012)APPLICATIONS 32 1FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP 1.91 0.10 (0.075 0.004)ATRANSISTOR 0.31rad.(0.012)3.05 0.13 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT (0.12 0.005)1.40(0.055)PA

8.3. 2n3209x.pdf Size:24K _semelab

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209)TRANSISTOR 4.95 (0.195)4.52 (0.178)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

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Liste

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