Справочник транзисторов. 2N3209AQF

 

Биполярный транзистор 2N3209AQF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N3209AQF
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: LCC3

 Аналоги (замена) для 2N3209AQF

 

 

2N3209AQF Datasheet (PDF)

 8.1. Size:113K  st
2n2894 2n3209.pdf

2N3209AQF 2N3209AQF

 8.2. Size:24K  semelab
2n3209x.pdf

2N3209AQF 2N3209AQF

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209)TRANSISTOR 4.95 (0.195)4.52 (0.178)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

 8.3. Size:25K  semelab
2n3209xcsm.pdf

2N3209AQF 2N3209AQF

2N3209XCSM MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) SWITCHING TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY 0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31rad.(0.012)APPLICATIONS 32 1FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP 1.91 0.10 (0.075 0.004)ATRANSISTOR 0.31rad.(0.012)3.05 0.13 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT (0.12 0.005)1.40(0.055)PA

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top