BSZ11 Todos los transistores

 

BSZ11 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSZ11

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO18

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BSZ11 datasheet

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BSZ11

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V BSZ110N08NS5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V BSZ110N08NS5 TSDSON-8 FL 1 Description (enlarged source interconnection) Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC conv

 0.2. Size:459K  infineon
bsz110n06ns3 bsz110n06ns3g.pdf pdf_icon

BSZ11

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