BSZ11 - описание и поиск аналогов

 

BSZ11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSZ11

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для BSZ11

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSZ11 даташит

 0.1. Size:1359K  infineon
 bsz110n08ns5.pdf pdf_icon

BSZ11

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V BSZ110N08NS5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 80 V BSZ110N08NS5 TSDSON-8 FL 1 Description (enlarged source interconnection) Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC conv

 0.2. Size:459K  infineon
 bsz110n06ns3 bsz110n06ns3g.pdf pdf_icon

BSZ11

pe $) $ TM " A 03 B53 R 11 m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I D Q H35>5?B=1

Другие транзисторы: BSY95A, BSYP04, BSYP05, BSYP06, BSYP07, BSYP62, BSYP63, BSZ10, D882P, BT2483, BT2483T, BT2484, BT2484T, BT2604, BT2604T, BT2605, BT2605T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.