2N3209DCSM Todos los transistores

 

2N3209DCSM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3209DCSM

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 30

Empaquetado / Estuche: LCC2

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2N3209DCSM Datasheet (PDF)

4.1. 2n2894 2n3209.pdf Size:113K _st

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4.2. 2n3209xcsm.pdf Size:25K _semelab

2N3209DCSM
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2N3209XCSM MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) SWITCHING TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY 0.51 ± 0.10 (0.02 ± 0.004) 0.31 rad. (0.012) APPLICATIONS 3 2 1 FEATURES • SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP 1.91 ± 0.10 (0.075 ± 0.004) A TRANSISTOR 0.31 rad. (0.012) 3.05 ± 0.13 • HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT (0.12 ± 0.005) 1.40 (0.055) PA

 4.3. 2n3209x.pdf Size:24K _semelab

2N3209DCSM
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2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209) TRANSISTOR 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES • SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR • SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) • SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) • HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

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