2N3209DCSM Todos los transistores

 

2N3209DCSM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3209DCSM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: LCC2

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2N3209DCSM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:113K  st
 2n2894 2n3209.pdf

2N3209DCSM 2N3209DCSM

 8.2. Size:24K  semelab
 2n3209x.pdf

2N3209DCSM 2N3209DCSM

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209)TRANSISTOR 4.95 (0.195)4.52 (0.178)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

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 2n3209xcsm.pdf

2N3209DCSM 2N3209DCSM

2N3209XCSM MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) SWITCHING TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY 0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31rad.(0.012)APPLICATIONS 32 1FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP 1.91 0.10 (0.075 0.004)ATRANSISTOR 0.31rad.(0.012)3.05 0.13 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT (0.12 0.005)1.40(0.055)PA

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