Справочник транзисторов. 2N3209DCSM

 

Биполярный транзистор 2N3209DCSM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3209DCSM
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: LCC2
 

 Аналог (замена) для 2N3209DCSM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3209DCSM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:113K  st
 2n2894 2n3209.pdf pdf_icon

2N3209DCSM

 8.2. Size:24K  semelab
 2n3209x.pdf pdf_icon

2N3209DCSM

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209)TRANSISTOR 4.95 (0.195)4.52 (0.178)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

 8.3. Size:25K  semelab
 2n3209xcsm.pdf pdf_icon

2N3209DCSM

2N3209XCSM MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) SWITCHING TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY 0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31rad.(0.012)APPLICATIONS 32 1FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP 1.91 0.10 (0.075 0.004)ATRANSISTOR 0.31rad.(0.012)3.05 0.13 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT (0.12 0.005)1.40(0.055)PA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , TIP31 , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 , 2N3212 , 2N3213 , 2N3214 , 2N3215 .

 

 
Back to Top

 


 
.