2N3209L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3209L  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO18

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2N3209L datasheet

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2N3209L

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2N3209L

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209) TRANSISTOR 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

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2N3209L

2N3209XCSM MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) SWITCHING TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY 0.51 0.10 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) APPLICATIONS 3 2 1 FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP 1.91 0.10 (0.075 0.004) A TRANSISTOR 0.31 rad. (0.012) 3.05 0.13 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT (0.12 0.005) 1.40 (0.055) PA

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