2N3209L Todos los transistores

 

2N3209L . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3209L

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (ft): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 30

Paquete / Cubierta: TO18

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3209L

 

2N3209L Datasheet (PDF)

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 2n2894 2n3209.pdf

2N3209L 2N3209L

 8.2. Size:25K  semelab
 2n3209xcsm.pdf

2N3209L 2N3209L

2N3209XCSM MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) SWITCHING TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY 0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31rad.(0.012)APPLICATIONS 32 1FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP 1.91 0.10 (0.075 0.004)ATRANSISTOR 0.31rad.(0.012)3.05 0.13 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT (0.12 0.005)1.40(0.055)PA

 8.3. Size:24K  semelab
 2n3209x.pdf

2N3209L 2N3209L

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209)TRANSISTOR 4.95 (0.195)4.52 (0.178)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

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