BU100 Todos los transistores

 

BU100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU100
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
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BU100

isc Silicon NPN Power Transistor BU100DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 3.3V(Max.)@ I = 8ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of CTVreceivers and high voltage,fast switching a

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History: 2N3867U4 | BFS62

 

 
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