BU100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU100

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU100 даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bu100.pdf pdf_icon

BU100

isc Silicon NPN Power Transistor BU100 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 3.3V(Max.)@ I = 8A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output stage of CTV receivers and high voltage,fast switching a

Другие транзисторы: BT3999, BT3999T, BT4260, BT4261, BT929, BT929T, BT930, BT930T, 2SC4793, BU1008ADF, BU1008AF, BU100A, BU102, BU103, BU103A, BU104, BU104D