BU1008ADF Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU1008ADF

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-emisor (Vce): 700 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 4

Encapsulados: TO220

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BU1008ADF datasheet

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BU1008ADF

isc Silicon NPN Power Transistor BU100 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 3.3V(Max.)@ I = 8A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output stage of CTV receivers and high voltage,fast switching a

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